AS6C62256-55SINTR SRAM: Rozložení pinů, specifikace, časování a alternativní produkt
2026-09-30 606

AS6C62256-55SINTR je nízkopříkonová 256 Kbit SRAM od společnosti Alliance Memory. Poskytuje 55 ns přístupový čas a 8-bitové paralelní rozhraní pro dočasné ukládání dat. Tento průvodce vysvětluje jeho rozložení pinů, elektrické specifikace, časování čtení a zápisu, uchování dat, balení a možné alternativy.

Katalog

Obrázek 1. AS6C62256-55SINTR 28-pinové SOP balení

AS6C62256-55SINTR Přehled

AS6C62256-55SINTR je 256 Kbit SRAM od společnosti Alliance Memory s 55 ns přístupovým časem a průmyslovým provozním teplotním rozsahem −40 °C až +85 °C. Používá 28-pinové, 330 mil SOP povrchové montážní balení.

Datasheet společnosti Alliance identifikuje 55SIN jako 55 ns průmyslovou verzi SOP. Alliance také uvádí AS6C62256-55SIN jako 55 ns průmyslovou objednávkovou verzi SOP. Seznam produktu pro plný AS6C62256-55SINTR objednávkový kód specifikuje balení do pásky a cívky.

Odešlete RFQ pro potvrzení množství, ceny, kódu dat, stavu, balení a dodací lhůty.

AS6C62256-55SINTR Architektura a rozložení pinů

AS6C62256-55SINTR obsahuje 32K × 8 paměťové pole. Adresní vstupy A0–A14 procházejí adresním dekodérem, aby vybraly jedno z jeho 32,768 míst. Během čtení vybraný 8-bitový slovo prochází sloupcem I/O a datovými obvody k DQ0–DQ7. Během zápisu data procházejí stejnou cestou do vybraného místa.

Řídicí obvod používá CE# pro výběr čipu, WE# pro ovládání zápisu a OE# pro povolení výstupů během čtení. # označuje signál aktivní na nízké úrovni. VCC je pin napájení a VSS je zem.

Provozní režim	CE#	OE#	WE#	DQ0–DQ7
Pohotovostní režim	H	X	X	Vysoká impedance
Výstup zakázán	L	H	H	Vysoká impedance
Čtení	L	L	H	Výstup dat
Zápis	L	X	L	Vstup dat

H znamená vysoký, L znamená nízký, a X znamená jakýkoli stav. Provozní režimy odpovídají pravdivostní tabulce společnosti Alliance Memory.

Obrázek 2. Zjednodušený funkční blokový diagram AS6C62256-55SINTR SRAM, přepracováno z datového listu společnosti Alliance Memory

Pin	Signál	Pin	Signál
1	A14	28	VCC
2	A12	27	WE#
3	A7	26	A13
4	A6	25	A8
5	A5	24	A9
6	A4	23	A11
7	A3	22	OE#
8	A2	21	A10
9	A1	20	CE#
10	A0	19	DQ7
11	DQ0	18	DQ6
12	DQ1	17	DQ5
13	DQ2	16	DQ4
14	VSS	15	DQ3

Obrázek 3. AS6C62256-55SINTR 28-Pin SOP Pinout (Pohled z vrchu)

Použijte diagram pinů PDIP/SOP pro tento 28-pinový SOP obal. Verze sTSOP má jinou konfiguraci pinů.

Vlastnosti a elektrické specifikace AS6C62256-55SINTR

AS6C62256-55SINTR funguje bez obnovování a poskytuje vstupy a výstupy kompatibilní s TTL. Jeho trojstavové výstupy umožňují sdílení datové sběrnice, když je čip nevybrán. Následující tabulky ukazují specifikace pro průmyslovou teplotu, 28-pinovou SOP variantu. Pomlčka znamená, že hodnota není specifikována.

Obecné specifikace

Parametr	Specifikace AS6C62256-55SINTR
Organizace paměti	32,768 × 8 bitů (256 Kbit)
Napájecí napětí, VCC	2,7 až 5,5 V
Čas přístupu	55 ns maximálně
Prevádzková teplota, TA	−40 až +85 °C
Balení	28-pin, 330 mil SOP
Formát odesílání	Páska a cívka
Shoda	Soulad s RoHS

Absolutní maximální hodnocení

Parametr	Symbol	Hodnocení
Napětí na svorkách vůči VSS	VTERM	−0,5 až +7,0 V
Prevádzková teplota, průmyslová třída	TA	−40 až +85 °C
Teplota skladování	TSTG	−65 až +150 °C
Ztráty výkonu	PD	1 W
Výstupní proud DC	IOUT	50 mA
Teplota pájení	TSOLDER	260 °C po dobu méně než 10 sekund

Absolutní maximální hodnocení jsou limity zatížení, ne provozní podmínky. Alliance Memory uvádí rozsah průmyslové teploty v této tabulce a identifikuje AS6C62256-55SIN jako průmyslovou SOP variantu ve svých objednávkových informacích.

DC elektrické charakteristiky

Parametr	Symbol	Testovací podmínky	Min.	Typ.	Max.
Vysoké vstupní napětí	VIH	Normální provoz	2,4 V	—	VCC + 0,5 V
Nízké vstupní napětí	VIL	Normální provoz	−0,5 V	—	0,6 V
Vstupní únikový proud	ILI	VSS ≤ VIN ≤ VCC	−1 µA	—	+1 µA
Únikový proud výstupu	ILO	Výstup je deaktivován; VSS ≤ VOUT ≤ VCC	−1 µA	—	+1 µA
Vysoké výstupní napětí	VOH	IOH = −1 mA	2,4 V	3,0 V	—
Nízké výstupní napětí	VOL	IOL = 2 mA	—	—	0,4 V
Prevádzkový napájecí proud	ICC	Minimální cyklový čas; CE# = VIL; I/O = 0 mA	—	15 mA	45 mA
Prevádzkový napájecí proud	ICC1	Cyklus 1 µs; CE# ≤ 0,2 V; I/O = 0 mA; ostatní piny na 0,2 V nebo VCC − 0,2 V	—	3 mA	10 mA
Standby napájecí proud	ISB	CE# = VIH	—	1 mA	3 mA
Průmyslový standby napájecí proud	ISB1	CE# ≥ VCC − 0,2 V; ostatní piny na 0,2 V nebo VCC − 0,2 V	—	1 µA	30 µA

Datový list povoluje VIH až do VCC + 3,0 V a VIL až do VSS − 3,0 V pouze pro pulzy kratší než 10 ns. Tyto podmínky jsou charakterizovány overshoot a undershoot, nikoliv normálními DC provozními limity. Zejména neukazují, že kontinuální vstup 5 V je akceptovatelný při VCC 3,3 V. Typické hodnoty jsou pro referenci a nejsou zaručenými limity. Hodnota ISB1 platí pouze za výše uvedených testovacích podmínek v pohotovostním režimu.

Kapacitance a AC testovací podmínky

Parametr	Podmínka	Hodnota
Vstupní kapacitance, CIN	TA = 25 °C; f = 1,0 MHz	6 pF maximálně
Vstupní/výstupní kapacitance, CI/O	TA = 25 °C; f = 1,0 MHz	8 pF maximálně
Úrovně vstupních pulsů	AC časové testy	0,2 V do VCC − 0,2 V
Časy náběhu a sestupu vstupu	AC časové testy	3 ns
Časový reference vstupu a výstupu	AC časové testy	1,5 V
Výstupní zátěž	Časové testy AC	CL = 50 pF + 1 TTL zátěž; IOH/IOL = −1 mA/2 mA

Limity kapacity jsou zaručeny charakterizací zařízení, ale nejsou testovány při výrobě.

AS6C62256-55SINTR Časování čtení a zápisu

AS6C62256-55SINTR podporuje čtení řízené adresou a čtení řízené CE# a OE#. Zápis může skončit, když se WE# nebo CE# zvýší. Tabulky uvádějí časové limity pro verzi 55 ns.

Čtecí cykly

Obrázek 4. Časování čtecího cyklu AS6C62256-55SINTR

Čtecí cyklus 1, řízený adresou: Držte CE# a OE# nízko a WE# vysoké. Změna na A0–A14 vybírá další paměťovou lokaci. Starý výstup zůstává krátce platný po změně adresy, poté DQ0–DQ7 představuje data z nové lokace.

Čtecí cyklus 2, řízený CE# a OE#: S WE# vysokým a adresou stabilní, snižte CE# pro výběr čipu a OE# pro aktivaci jeho výstupů. Data se stávají platnými po uplynutí příslušných zpoždění adresy, povolení čipu a povolení výstupu. Zvyšování CE# nebo OE# vrací výstupy do vysoké impedanční polohy.

Parametr	Symbol	Min.	Max.
Čas čtecího cyklu	tRC	55 ns	—
Čas přístupu k adrese	tAA	—	55 ns
Čas přístupu k povolení čipu	tACE	—	55 ns
Čas přístupu k povolení výstupu	tOE	—	30 ns
Čas povolení čipu do výstupu v Low-Z	tCLZ*	10 ns	—
Čas povolení výstupu do výstupu v Low-Z	tOLZ*	5 ns	—
Čas zakázání čipu do výstupu v High-Z	tCHZ*	—	20 ns
Čas zakázání výstupu do výstupu v High-Z	tOHZ*	—	20 ns
Držení výstupu po změně adresy	tOH	10 ns	—

Zápisové cykly

Obrázek 5. Časování zápisového cyklu AS6C62256-55SINTR

Zápisový cyklus 1, řízený WE#: Držte CE# nízko, představte platnou adresu a pulzujte WE# nízko. Umístěte vstupní data na DQ0–DQ7 před zvýšením WE#. To zvýšení ukončuje zápis.

Zápisový cyklus 2, řízený CE#: Držte WE# nízko a pulzujte CE# nízko, zatímco je adresa a vstupní data platná. Zvýšení CE# končí zápis. V obou cyklech zohledněte zpoždění zakázání výstupu před tím, než externí zařízení zapíše data na sdílenou sběrnici DQ.

Parametr	Symbol	Min.	Max.
Čas zápisového cyklu	tWC	55 ns	—
Platná adresa do konce zápisu	tAW	50 ns	—
Povolení čipu do konce zápisu	tCW	50 ns	—
Čas nastavení adresy	tAS	0 ns	—
Šířka zápisového impulsu	tWP	45 ns	—
Čas zotavení zápisu	tWR	0 ns	—
Čas překryvu dat k zápisu	tDW	25 ns	—
Držení dat po konci zápisu	tDH	0 ns	—
Výstup aktivní po konci zápisu	tOW*	5 ns	—
Zápis do výstupu v High-Z	tWHZ*	—	20 ns

Technický list specifikuje CL = 5 pF pro tCLZ, tOLZ, tCHZ, tOHZ, tOW a tWHZ. Jejich příslušné přechody mezi High-Z a Low-Z jsou měřeny ±500 mV od stabilní úrovně výstupu. Nepoužívejte obecný podmínku zátěže 50 pF + 1 TTL na těchto šesti parametrech. Parametry se hvězdičkou jsou zaručeny charakterizací zařízení, ale nejsou testovány při výrobě.

AS6C62256-55SINTR Udržení dat

Obrázek 6. Zjednodušený průběh udržení dat AS6C62256, přepracováno z technického listu Alliance Memory

Před tím, než VCC klesne pod normální minimální provozní napětí 2,7 V, zvyšte CE#. Během udržení dat udržujte VCC na nebo nad 1,5 V a CE# ≥ VCC − 0,2 V.

Parametr	Symbol	Testovací podmínka	Min.	Typ.	Max.
Napětí napájení pro udržení dat	VDR	CE# ≥ VCC − 0,2 V	1,5 V	—	5,5 V
Proud pro udržení dat	IDR	VCC = 2,0 V; CE# ≥ VCC − 0,2 V	—	0,5 µA	20 µA
Čas zakázání čipu do doby udržení dat	tCDR	Před tím, než VCC klesne pod provozní rozsah	0 ns	—	—
Čas zotavení	tR	Po návratu VCC do provozního rozsahu	tRC	—	—

Jakmile VCC vrátí do normálního provozního rozsahu 2,7 V až 5,5 V, čekejte alespoň jeden čtecí cyklus (tRC = 55 ns) před přístupem k paměti.

Rozměry balení a CAD modely AS6C62256-55SINTR

Obrys balení SOP s 28 piny

Obrázek 7. Obrys balení AS6C62256 s 28 piny, 330 mil SOP

AS6C62256-55SINTR využívá balení SOP s 28 piny a 330 mil. Náčrt balení zobrazuje zařízení zvrchu. Vybrané rozměry balení jsou uvedeny níže. Na kompletní rozměry a tolerance se obraťte na náčrt balení Alliance Memory.

Náčrtek symbol	Rozměr
A	3.048 mm maximálně
A1	0.05 mm minimálně
A2	2.489 ± 0.127 mm
b	0.406 mm typicky
D	18.491 mm maximálně
E	8.636 mm maximálně
E1	11.811 ± 0.305 mm
e	1.270 mm typicky

Tyto rozměry používejte s náčrtem výrobce při kontrole rozložení PCB a montážního prostoru.

Schématický symbol, rozložení PCB a 3D model

Obrázek 8. Schématický symbol AS6C62256-55SINTR, rozložení PCB s 28 piny SOP a 3D model balení

Aplikace AS6C62256-55SINTR

Alliance Memory identifikuje paměť s nízkou spotřebou a paměť s bateriovým zálohováním jako aplikace pro AS6C62256. Níže uvedené použití jsou praktické příklady návrhu. Vhodnost závisí na napájecím napětí systému, paralelním rozhraní, kapacitě paměti a časových požadavcích.

• Průmyslové řídicí systémy: Průmyslový řídicí systém může používat SRAM pro dočasná měření nebo provozní data. S vhodným záložním napájením může uchovat data během výpadku napájení.

• Vestavěné systémy: Poskytuje 32 KB pracovní paměti kompatibilnímu řídicímu systému.

• Přenosná zařízení: Uchovává měření a dočasná data ve vybavení napájeném baterií.

• Zařízení pro záznam dat: Dělá vyrovnávací paměti pro měření před zpracováním nebo přenosem.

• Komunikační vybavení: Uchovává dočasná data nebo hodnoty konfigurace v kompatibilním designu.

Alternativy a kontrola kompatibility AS6C62256-55SINTR

Aktuální křížová reference Alliance Memory uvádí AS6C62256-55SINTR jako náhradu za CY62256NLL-55SNXIT. Tento seznam popisuje substituci z části Cypress na část Alliance. To nepotvrzuje, že část Cypress bude fungovat v opačném směru. Chovejte se k tomu jako k inženýrskému kandidátovi, který vyžaduje ověření před použitím pro nahrazení nainstalovaného AS6C62256-55SINTR.

Kandidát	Výrobce vztah křížové reference	Ověřte před zpětnou substitucí
CY62256NLL-55SNXIT	Aktuální křížová reference Alliance mapuje tento objednávkový kód Cypress na AS6C62256-55SINTR.	Porovnejte napájecí napětí, rozložení pinů, rozložení SOP, časování 55 ns, teplotní rozsah a limity uchování dat.

Před substitucí jiného zařízení porovnejte kompletní objednávkové kódy, připojení pinů, rozložení PCB, napájecí napětí, časy čtení a zápisu, provozní teplotu a požadavky na uchování dat.

Kdy zvolit AS6C62256-55SINTR

Zvolte AS6C62256-55SINTR, když váš návrh potřebuje 32K × 8 asynchronní SRAM s přístupem 55 ns, rozsah napájení 2.7–5.5 V, průmyslový provoz při −40 °C až +85 °C a rozložení SOP s 28 piny a 330 mil. Je také kandidátem pro udržení desky, která již používá tento konkrétní balíček a rozložení pinů.

Zvolte jiné paměťové zařízení, pokud váš systém potřebuje sériové rozhraní, výrazně větší kapacitu nebo jiné rozložení PCB. AS6C62256-55SINTR je křehká: pokud musí data přežít ztrátu hlavního napájení, váš návrh musí zachovat vhodné napájení pro uchování dat.

Technické reference

• Alliance Memory, datasheet AS6C62256, revize 1.2, 23. března 2016.

• Alliance Memory, náhrada za Cypress Semiconductor CY62256.

• Alliance Memory, snadno dostupné náhrady za nízkoenergetické SRAM CY62256, 2. srpna 2018.