| SIS862DN-T1-GE3 | |
|---|---|
| Part Number | SIS862DN-T1-GE3 |
| Výrobce | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Popis | MOSFET N-CH 60V 40A 1212 |
| Dostupné množství | 15462 pcs new original in stock. Žádost o akci a nabídku |
| ECAD model | |
| Datasheety | |
| SIS862DN-T1-GE3 Price |
Požadavek na cenu a dobu trvání online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Technické informace SIS862DN-T1-GE3 | |||
|---|---|---|---|
| Číslo součásti výrobce | SIS862DN-T1-GE3 | Kategorie | Diskrétní polovodičové produkty |
| Výrobce | Electro-Films (EFI) / Vishay | Popis | MOSFET N-CH 60V 40A 1212 |
| Balení / pouzdro | Tape & Reel (TR) | Dostupné množství | 15462 pcs |
| Vgs (th) (max) 'Id | 2.6V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Technika | MOSFET (Metal Oxide) | Dodavatel zařízení Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Série | TrenchFET® | RDS On (Max) @ Id, Vgs | 8.5 mOhm @ 20A, 10V |
| Ztráta energie (Max) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) | Obal | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice | PowerPAK® 1212-8 | Ostatní jména | SIS862DN-T1-GE3TR |
| Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | Typ montáže | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL) | 1 (Unlimited) | Stav volného vedení / RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds | 1320pF @ 30V | Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel | FET Feature | - |
| Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.) | 4.5V, 10V | Drain na zdroj napětí (Vdss) | 60V |
| Detailní popis | N-Channel 60V 40A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 | Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C | 40A (Tc) |
| Stažení | SIS862DN-T1-GE3 PDF - EN.pdf | ||
Napište nám: Info@Ariat-Tech.com nebo RFQ SIS862DN-T1-GE3 Online.
| SIS862DN-T1-GE3 Sklad | SIS862DN-T1-GE3 Cena | SIS862DN-T1-GE3 Electronics | |||
| Součásti SIS862DN-T1-GE3 | SIS862DN-T1-GE3 Inventory | SIS862DN-T1-GE3 Digikey | |||
| Dodavatel SIS862DN-T1-GE3 | Objednat SIS862DN-T1-GE3 Online | Poptávka SIS862DN-T1-GE3 | |||
| Obrázek SIS862DN-T1-GE3 | Obrázek SIS862DN-T1-GE3 | SIS862DN-T1-GE3 PDF | |||
| Datový list SIS862DN-T1-GE3 | Stáhněte si datový list SIS862DN-T1-GE3 | Výrobce Electro-Films (EFI) / Vishay | |||
| Související díly pro SIS862DN-T1-GE3 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| obraz | Part Number | Popis | Výrobce | Získejte nabídku | |
 |
SIS85-3R3 | DELTA SMD | DELTA | ||
 |
SIS890DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8 | Vishay Siliconix | ||
 |
SIS85C407 | SIS QFP | SIS | ||
|
SIS82C451 | SIS82C451 SIS | SIS | ||
|
SiS822DNT-T1-GE3 MOS | CCSEMI DFN3X3-8T | CCSEMI | ||
|
SIS888DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 150V 20.2A 1212-8S | Vishay Siliconix | ||
|
SIS85C206 | SIS QFP | SIS | ||
|
SIS85-3R3(3.3UH 5.5A) | DELTA SMD | DELTA | ||
|
SIS85-3R3 3.3UH 5.5A | DELTA SMD | DELTA | ||
|
SIS890DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SIS85C496 | SIS 03 | SIS | ||
|
SIS862DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 60V 40A 1212 | Vishay Siliconix | ||
 |
SIS890DN-T1-GE3 MOS | VISHAY PowerPAK1212-8 | VISHAY | ||
|
SIS892DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8 PPAK | Vishay Siliconix | ||
|
SIS862ADN-T1-GE3 | VISHAY PowerPAK1212-8 | VISHAY | ||
|
SIS85C497NU | SIS QFP | SIS | ||
|
SIS892DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8 PPAK | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SIS892ADN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 100V 28A PPAK 1212 | Vishay Siliconix | ||
|
SIS892ADN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 100V 28A PPAK 1212 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SIS888DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 150V 20.2A 1212-8S | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
Zprávy
Více
Jak technologie postupuje a přichází informační věk, optické sítě, efektivní a spolehlivá metoda přenosu dat, postupně transformují naš...
Home Home uvedl 16. dubna, že podle zprávy „Global Semiconductor Equipment Market“, které nedávno vydala polovodičová organizace Semi, v roce ...
Švédská unie, pokud Metall 10. dubna oznámila, že stávka Tesla Mechanics je jedním z nejdelších pracovních sporů v zemi a nadále narušuje...
V poslední době oznámili hlavní výrobci skladování, jako jsou Micron, Samsung a Western Digital, zvýšení cen.Zasvěcenci průmyslu naznačuj...
Ve vzduchu je normální objemová frakce obsahu kyslíku asi 20,9%, ale když obsah kyslíku klesne pod tuto hodnotu, může to vést k hypoxii. Obec...
Nové produkty
Více
Moduly Bluetooth® Xpress a vývojová platforma Blue Gecko Xpress BGX13 společnosti Silicon Labs j...
EFR32 ™ Flex Gecko Sub-GHz a 2,4 GHz Vlastní bezdrátové startéry Silikonové laboratoře EFR32 ...
Sada pro vývoj Wi-Fi pro modul Zentri AMW007-E03 Vývojová sada Silicon Lab AMW007 pomáhá uživa...
Si3404 a Si3406x Napájení přes Ethernet (PoE) napájené čipy zařízení Silikonové laboratoř...
Rodina digitálních izolátorů Si86xx Digitální izolátory Silicon Labs nabízejí podporu pro z...
E-mailem: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966PŘIDAT: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hongkong.
Oznámení o autorských právech © 1996-2024 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Všechna práva vyhrazena.