| IPD60R180P7ATMA1 | |
|---|---|
| Part Number | IPD60R180P7ATMA1 |
| Výrobce | Infineon Technologies |
| Popis | MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3 |
| Dostupné množství | 3600 pcs new original in stock. Žádost o akci a nabídku |
| Datasheety | 1.IPD60R180P7ATMA1.pdf2.IPD60R180P7ATMA1.pdf3.IPD60R180P7ATMA1.pdf4.IPD60R180P7ATMA1.pdf |
| IPD60R180P7ATMA1 Price |
Požadavek na cenu a dobu trvání online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Technické informace IPD60R180P7ATMA1 | |||
|---|---|---|---|
| Číslo součásti výrobce | IPD60R180P7ATMA1 | Kategorie | Diskrétní polovodičové produkty |
| Výrobce | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | Popis | MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3 |
| Balení / pouzdro | PG-TO252-3 | Dostupné množství | 3600 pcs |
| Vgs (th) (max) 'Id | 4V @ 280µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Technika | MOSFET (Metal Oxide) | Dodavatel zařízení Package | PG-TO252-3 |
| Série | CoolMOS™ P7 | RDS On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 5.6A, 10V |
| Ztráta energie (Max) | 72W (Tc) | Paket / krabice | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Balík | Tape & Reel (TR) | Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže | Surface Mount | Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds | 1081 pF @ 400 V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V | Typ FET | N-Channel |
| FET Feature | - | Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.) | 10V |
| Drain na zdroj napětí (Vdss) | 600 V | Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C | 18A (Tc) |
| Číslo základního produktu | IPD60R | ||
| Stažení | IPD60R180P7ATMA1 PDF - EN.pdf | ||
IPD60R180P7ATMA1
N-Channel MOSFET
Infineon Technologies (dříve International Rectifier)
MOSFET (Metal Oxide) technologie, N-Channel FET typ, bez olovnatých sloučenin a soulad s RoHS
Vysoký proudový napětí (Vdss) 650 V, nepřetržitý proud (Id) 18 A při 25°C, nízká odpovídající rezistence (Rds On) 180 mOhm, hladina napětí brány (Vgs(th)) 4 V
Balíček PG-TO252-3, povrchová montáž, provozní rozsah teplot -55°C až 150°C
TO-252-3, DPak (2 vodiče + návěstka), SC-63 obal, balení v Digi-Reel, dodavatelský balíček PG-TO252-3
Maximální odvedení moci 72 W
Série CoolMOS P7 pro zvýšenou účinnost
Konkurenceschopné specifikace proudového napětí a odpovídající rezistence
Kompatibilní s standardními technikami řízení MOSFET
Vyžaduje soulad s RoHS pro ekologické standardy
Navrženo pro dlouhodobou spolehlivost a výkon
Široce používáno v aplikacích pro přeměnu energie
| IPD60R180P7ATMA1 Sklad | IPD60R180P7ATMA1 Cena | IPD60R180P7ATMA1 Elektronika |
| IPD60R180P7ATMA1 Součástky | IPD60R180P7ATMA1 Skladové zásoby | IPD60R180P7ATMA1 Digikey |
| Dodavatel IPD60R180P7ATMA1 | Objednat IPD60R180P7ATMA1 online | Poptávka IPD60R180P7ATMA1 |
| IPD60R180P7ATMA1 Obrázek | IPD60R180P7ATMA1 Fotografie | IPD60R180P7ATMA1 PDF |
| IPD60R180P7ATMA1 Datový list | Stáhnout datový list IPD60R180P7ATMA1 | Výrobce Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |