| SIHP30N60AEL-GE3 | |
|---|---|
| Part Number | SIHP30N60AEL-GE3 |
| Výrobce | Vishay Siliconix |
| Popis | MOSFET N-CH 600V 28A TO220AB |
| Dostupné množství | 5091 pcs new original in stock. Žádost o akci a nabídku |
| Datasheety | 1.SIHP30N60AEL-GE3.pdf2.SIHP30N60AEL-GE3.pdf |
| SIHP30N60AEL-GE3 Price |
Požadavek na cenu a dobu trvání online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Technické informace SIHP30N60AEL-GE3 | |||
|---|---|---|---|
| Číslo součásti výrobce | SIHP30N60AEL-GE3 | Kategorie | Diskrétní polovodičové produkty |
| Výrobce | Vishay / Siliconix | Popis | MOSFET N-CH 600V 28A TO220AB |
| Balení / pouzdro | TO-220AB | Dostupné množství | 5091 pcs |
| Vgs (th) (max) 'Id | 4V @ 250µA | Vgs (Max) | ±30V |
| Technika | MOSFET (Metal Oxide) | Dodavatel zařízení Package | TO-220AB |
| Série | EL | RDS On (Max) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 15A, 10V |
| Ztráta energie (Max) | 250W (Tc) | Paket / krabice | TO-220-3 |
| Balík | Tube | Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže | Through Hole | Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds | 2565 pF @ 100 V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs | 120 nC @ 10 V | Typ FET | N-Channel |
| FET Feature | - | Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.) | 10V |
| Drain na zdroj napětí (Vdss) | 600 V | Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C | 28A (Tc) |
| Číslo základního produktu | SIHP30 | ||
| Stažení | SIHP30N60AEL-GE3 PDF - EN.pdf | ||
Napište nám: Info@Ariat-Tech.com nebo odešlete RFQ pro SIHP30N60AEL-GE3 online.
| SIHP30N60AEL-GE3 Sklad | SIHP30N60AEL-GE3 Cena | SIHP30N60AEL-GE3 Elektronika | |||
| SIHP30N60AEL-GE3 Součástky | SIHP30N60AEL-GE3 Skladové zásoby | SIHP30N60AEL-GE3 Digikey | |||
| Dodavatel SIHP30N60AEL-GE3 | Objednat SIHP30N60AEL-GE3 online | Poptávka SIHP30N60AEL-GE3 | |||
| SIHP30N60AEL-GE3 Obrázek | SIHP30N60AEL-GE3 Fotografie | SIHP30N60AEL-GE3 PDF | |||
| SIHP30N60AEL-GE3 Datový list | Stáhnout datový list SIHP30N60AEL-GE3 | Výrobce Vishay / Siliconix | |||
| Související díly pro SIHP30N60AEL-GE3 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| obraz | Part Number | Popis | Výrobce | Získejte nabídku | |
 |
SIHP33N60EF-GE3 | MOSFET N-CH 600V 33A TO220AB | Vishay Siliconix | ||
 |
SIHP28N60EF-GE3 | MOSFET N-CH 600V 28A TO-220-3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
 |
SIHP25N60EFL-BE3 | N-CHANNEL 600V | Vishay Siliconix | ||
|
SIHP28N60EF-GE3 | MOSFET N-CH 600V 28A TO220AB | Vishay Siliconix | ||
 |
SIHP33N60E | VISYA TO220 | YA | ||
|
SIHP25N50E-GE3 | MOSFET N-CH 500V 26A TO-220AB | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SIHP30N60E-GE3 | MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB | Vishay Siliconix | ||
|
SIHP30N60E-E3 | MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB | Vishay Siliconix | ||
|
SIHP28N65E-GE3 | MOSFET N-CH 650V 29A TO220AB | Vishay Siliconix | ||
|
SIHP30N60E-E3 | MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SIHP25N60EFL-GE3 | MOSFET N-CH 600V 25A TO220AB | Vishay Siliconix | ||
|
SIHP25N50E-GE3 | MOSFET N-CH 500V 26A TO220AB | Vishay Siliconix | ||
 |
SiHP30N60E | SiHP30N60E VISHAY | VISHAY | ||
|
SIHP33N60EF-GE3 | MOSFET N-CH 600V 33A TO-220-3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SIHP30N60E-GE3 | MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SIHP33N60E-GE3 | MOSFET N-CH 600V 33A TO-220AB | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SIHP25N60EFL-GE3 | MOSFET N-CH 600V 25A TO220AB | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SIHP28N65EF-GE3 | MOSFET N-CH 650V 28A TO-220AB | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SIHP28N65EF-GE3 | MOSFET N-CH 650V 28A TO220AB | Vishay Siliconix | ||
|
SIHP33N60E-GE3 | MOSFET N-CH 600V 33A TO220AB | Vishay Siliconix | ||
Zprávy
Více
Dne 19. dubna 2026 (místního času) zprávy médií s odkazem na zdroje obeznámené s touto záležitostí odhalily, že Google, dceřiná společn...
Podle *The Business Times* začala pilotní výrobní linka CoPoS (Chip-on-Panel-on-Substrate) společnosti TSMC dodávat zařízení svému R&D týmu...
Dne 6. dubna místního času americký technologický gigant pro umělou inteligenci (AI) Anthropic oznámil, že podepsal novou dohodu se společnos...
1. dubna Microsoft oznámil, že investuje 5,5 miliardy dolarů v Singapuru do dalšího rozšiřování své infrastruktury cloudu a umělé intelige...
Samsung Electronics bude první, kdo bude svou novou generaci HBM4 exkluzivně dodávat OpenAI, největší světové společnosti zabývající se um...
Nové produkty
Více
Texas Instruments TPS92542-Q1 Synchronní Boost řadič obsahuje synchronní ovladač Boost a dvoukanálový monolitický synchronní synchronní buck...
Ovladač Toshiba TB67H453 s jedním kanálem H-Bridge má proudovou monitorovací funkci s zpětnou vazbou napětí z výstupního kolíku ISENSE.Abso...
STMICROELECTRONICS STSAFE-A120 Ověřování ICS jsou vysoce bezpečné integrované obvody určené k ochraně citlivých dat a zařízení prostřed...
STMICROELECTRONICS STSAFE-A Optimalizovaná autentizační ICS pákový výkon pokročilých kryptografických algoritmů a technik správy klíčů k...
Diody začleněné PI3DPX1235Q 6: 4 Lineární redriver příčka podporuje transparentní pro tréninkové trénink DP pro aplikace na straně zdroje...
E-mail: Info@ariat-tech.comHK TEL: +852 30501966ADRESA: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hong Kong.
Oznámení o autorských právech © 1996-2026 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED. Všechna práva vyhrazena.