| FDP027N08B | |
|---|---|
| Part Number | FDP027N08B |
| Výrobce | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Popis | MOSFET N-CH 80V 223A TO-220-3 |
| Dostupné množství | 31500 pcs new original in stock. Žádost o akci a nabídku |
| ECAD model | |
| Datasheety | FDP027N08B.pdf |
| FDP027N08B Price |
Požadavek na cenu a dobu trvání online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Technické informace FDP027N08B | |||
|---|---|---|---|
| Číslo součásti výrobce | FDP027N08B | Kategorie | Diskrétní polovodičové produkty |
| Výrobce | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Popis | MOSFET N-CH 80V 223A TO-220-3 |
| Balení / pouzdro | Tube | Dostupné množství | 31500 pcs |
| Vgs (th) (max) 'Id | 4.5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Technika | MOSFET (Metal Oxide) | Dodavatel zařízení Package | TO-220-3 |
| Série | PowerTrench® | RDS On (Max) @ Id, Vgs | 2.7 mOhm @ 100A, 10V |
| Ztráta energie (Max) | 246W (Tc) | Obal | Tube |
| Paket / krabice | TO-220-3 | Provozní teplota | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Typ montáže | Through Hole | Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds | 13530pF @ 40V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs | 178nC @ 10V | Typ FET | N-Channel |
| FET Feature | - | Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.) | 10V |
| Drain na zdroj napětí (Vdss) | 80V | Detailní popis | N-Channel 80V 120A (Tc) 246W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) | ||
| Stažení | FDP027N08B PDF - EN.pdf | ||
Napište nám: Info@Ariat-Tech.com nebo RFQ FDP027N08B Online.
| FDP027N08B Sklad | FDP027N08B Cena | FDP027N08B Electronics | |||
| Součásti FDP027N08B | FDP027N08B Inventory | FDP027N08B Digikey | |||
| Dodavatel FDP027N08B | Objednat FDP027N08B Online | Poptávka FDP027N08B | |||
| Obrázek FDP027N08B | Obrázek FDP027N08B | FDP027N08B PDF | |||
| Datový list FDP027N08B | Stáhněte si datový list FDP027N08B | Výrobce | |||
| Související díly pro FDP027N08B | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| obraz | Part Number | Popis | Výrobce | Získejte nabídku | |
 |
FDP027N06B | FDP027N06B FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
|
FDP030N06B-F102 | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
|
FDP023N08B-F102 | MOSFET N-CH 75V 120A TO-220-3 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
|
FDP032N06 | FDP032N06 FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
|
FDP020N06BH | FDP020N06BH FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
|
FDP027N08B-F102 | MOSFET N-CH 80V 120A TO-220-3 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
|
FDP030N06B | FDP030N06B FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
|
FDP027N08B_F102 | MOSFET N-CH 80V 120A TO-220-3 | N/A | ||
|
FDP025N06 | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
|
FDP023N08B_F102 | MOSFET N-CH 75V 120A TO-220-3 | N/A | ||
|
FDP030N06B IC | FAIRCHILD TO-220 | FAIRCHILD | ||
|
FDP023N08B | FDP023N08B FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
|
FDP027N08B MOS | ON TO-220 | ON | ||
|
FDP030N06B_F102 | FDP030N06B_F102 N/A | N/A | ||
|
FDP023N08BH | FAIRCHILD TO-220 | FAIRCHILD | ||
|
FDP030N06BTU | FDP030N06BTU FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
|
FDP025N06 MOS | FAIRCHILD TO-220 | FAIRCHILD | ||
|
FDP020N06B-F102 | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
|
FDP020N06B_F102 | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3 | N/A | ||
|
FDP030N06 | MOSFET N-CH 60V 120A TO220 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
Zprávy
Více
Jak technologie postupuje a přichází informační věk, optické sítě, efektivní a spolehlivá metoda přenosu dat, postupně transformují naš...
Home Home uvedl 16. dubna, že podle zprávy „Global Semiconductor Equipment Market“, které nedávno vydala polovodičová organizace Semi, v roce ...
Švédská unie, pokud Metall 10. dubna oznámila, že stávka Tesla Mechanics je jedním z nejdelších pracovních sporů v zemi a nadále narušuje...
V poslední době oznámili hlavní výrobci skladování, jako jsou Micron, Samsung a Western Digital, zvýšení cen.Zasvěcenci průmyslu naznačuj...
Ve vzduchu je normální objemová frakce obsahu kyslíku asi 20,9%, ale když obsah kyslíku klesne pod tuto hodnotu, může to vést k hypoxii. Obec...
Nové produkty
Více
Fotoelektrický snímač řady PD30 Miniaturní fotoelektrické snímače Carlo Gavazzi jsou vysoce ...
Sada hodnocení XC112 / XR112 pro pulsní koherentní radar A111 Acconeer XC112 a XR112 vyhodnocovac...
MINAS Servo pohony řady A6 a motory Rodina řady MINAS A6 společnosti Panasonic zajišťuje stabil...
Deska řidiče UV LED RayVio je LED LED deska řady XE a XP1 řady UV-C emitorů Ultrafialová (UV...
Průmyslový a rozšířený test DDR SDRAM Zařízení DDR SDRAM společnosti Insignis zaručují p...
E-mailem: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966PŘIDAT: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hongkong.
Oznámení o autorských právech © 1996-2024 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Všechna práva vyhrazena.