FQPF3N80C | |
---|---|
Part Number | FQPF3N80C |
Výrobce | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Popis | MOSFET N-CH 800V 3A TO-220F |
Dostupné množství | 18500 pcs new original in stock. Žádost o akci a nabídku |
ECAD model | |
Datasheety | FQPF3N80C.pdf |
FQPF3N80C Price |
Požadavek na cenu a dobu trvání online or Email us: Info@ariat-tech.com |
Technické informace FQPF3N80C | |||
---|---|---|---|
Číslo součásti výrobce | FQPF3N80C | Kategorie | Diskrétní polovodičové produkty |
Výrobce | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Popis | MOSFET N-CH 800V 3A TO-220F |
Balení / pouzdro | Tube | Dostupné množství | 18500 pcs |
Vgs (th) (max) 'Id | 5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±30V |
Technika | MOSFET (Metal Oxide) | Dodavatel zařízení Package | TO-220F |
Série | QFET® | RDS On (Max) @ Id, Vgs | 4.8 Ohm @ 1.5A, 10V |
Ztráta energie (Max) | 39W (Tc) | Obal | Tube |
Paket / krabice | TO-220-3 Full Pack | Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Typ montáže | Through Hole | Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL) | 1 (Unlimited) |
Výrobní standardní doba výroby | 28 Weeks | Stav volného vedení / RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds | 705pF @ 25V | Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs | 16.5nC @ 10V |
Typ FET | N-Channel | FET Feature | - |
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.) | 10V | Drain na zdroj napětí (Vdss) | 800V |
Detailní popis | N-Channel 800V 3A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220F | Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C | 3A (Tc) |
Stažení | FQPF3N80C PDF - EN.pdf |
FQPF3N80C Sklad | FQPF3N80C Cena | FQPF3N80C Electronics | |||
Součásti FQPF3N80C | FQPF3N80C Inventory | FQPF3N80C Digikey | |||
Dodavatel FQPF3N80C | Objednat FQPF3N80C Online | Poptávka FQPF3N80C | |||
Obrázek FQPF3N80C | Obrázek FQPF3N80C | FQPF3N80C PDF | |||
Datový list FQPF3N80C | Stáhněte si datový list FQPF3N80C | Výrobce |
Související díly pro FQPF3N80C | |||||
---|---|---|---|---|---|
obraz | Part Number | Popis | Výrobce | Získejte nabídku | |
FQPF3N80 | MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-220F | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | |||
FQPF34N20L | MOSFET N-CH 200V 17.5A TO-220F | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | |||
FQPF3N90C | FQPF3N90C FSC | FSC | |||
FQPF44N08 | MOSFET N-CH 80V 25A TO-220F | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | |||
FQPF34N20 | MOSFET N-CH 200V 17.5A TO-220F | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | |||
FQPF3N25 | MOSFET N-CH 250V 2.3A TO-220F | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | |||
FQPF3N80CYDTU | MOSFET N-CH 800V 3A TO-220F | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | |||
FQPF3N50C | MOSFET N-CH 500V 3A TO-220F | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | |||
FQPF3P20 MOS | FAIRCHILD TO-220 | FAIRCHILD | |||
FQPF40N10 | FQPF40N10 FSC | FSC | |||
FQPF3N50CT | FQPF3N50CT FSC | FSC | |||
FQPF44N08T | MOSFET N-CH 80V 25A TO-220F | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | |||
FQPF3P50 | MOSFET P-CH 500V 1.9A TO-220F | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | |||
FQPF3P20 | MOSFET P-CH 200V 2.2A TO-220F | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | |||
FQPF3N90_NL | MOSFET N-CH 900V 2.1A TO-220F | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | |||
FQPF3N30 | MOSFET N-CH 300V 1.95A TO-220F | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | |||
FQPF3N90 | MOSFET N-CH 900V 2.1A TO-220F | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | |||
FQPF3N60C | FQPF3N60C VB | VB | |||
FQPF3N40 | MOSFET N-CH 400V 1.6A TO-220F | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | |||
FQPF3N60 | MOSFET N-CH 600V 2A TO-220F | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Zprávy
VíceJak technologie postupuje a přichází informační věk, optické sítě, efektivní a spolehlivá metoda přenosu dat, postupně transformují naš...
Home Home uvedl 16. dubna, že podle zprávy „Global Semiconductor Equipment Market“, které nedávno vydala polovodičová organizace Semi, v roce ...
Švédská unie, pokud Metall 10. dubna oznámila, že stávka Tesla Mechanics je jedním z nejdelších pracovních sporů v zemi a nadále narušuje...
V poslední době oznámili hlavní výrobci skladování, jako jsou Micron, Samsung a Western Digital, zvýšení cen.Zasvěcenci průmyslu naznačuj...
Ve vzduchu je normální objemová frakce obsahu kyslíku asi 20,9%, ale když obsah kyslíku klesne pod tuto hodnotu, může to vést k hypoxii. Obec...
Nové produkty
VíceFotoelektrický snímač řady PD30 Miniaturní fotoelektrické snímače Carlo Gavazzi jsou vysoce ...
Sada hodnocení XC112 / XR112 pro pulsní koherentní radar A111 Acconeer XC112 a XR112 vyhodnocovac...
MINAS Servo pohony řady A6 a motory Rodina řady MINAS A6 společnosti Panasonic zajišťuje stabil...
Deska řidiče UV LED RayVio je LED LED deska řady XE a XP1 řady UV-C emitorů Ultrafialová (UV...
Průmyslový a rozšířený test DDR SDRAM Zařízení DDR SDRAM společnosti Insignis zaručují p...
E-mailem: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966PŘIDAT: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hongkong.