| STB30N65M2AG | |
|---|---|
| Part Number | STB30N65M2AG |
| Výrobce | STMicroelectronics |
| Popis | MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK |
| Dostupné množství | 3400 pcs new original in stock. Žádost o akci a nabídku |
| Datasheety | 1.STB30N65M2AG.pdf2.STB30N65M2AG.pdf |
| STB30N65M2AG Price |
Požadavek na cenu a dobu trvání online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Technické informace STB30N65M2AG | |||
|---|---|---|---|
| Číslo součásti výrobce | STB30N65M2AG | Kategorie | Diskrétní polovodičové produkty |
| Výrobce | STMicroelectronics | Popis | MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK |
| Balení / pouzdro | D²PAK (TO-263) | Dostupné množství | 3400 pcs |
| Vgs (th) (max) 'Id | 4V @ 250µA | Vgs (Max) | ±25V |
| Technika | MOSFET (Metal Oxide) | Dodavatel zařízení Package | D²PAK (TO-263) |
| Série | Automotive, AEC-Q101 | RDS On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 10A, 10V |
| Stav produktu | Active | Ztráta energie (Max) | 190W (Tc) |
| Paket / krabice | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Balík | Tape & Reel (TR) |
| Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | Typ montáže | Surface Mount |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds | 1440 pF @ 100 V | Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs | 30.8 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel | FET Feature | - |
| Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.) | 10V | Drain na zdroj napětí (Vdss) | 650 V |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc) | Číslo základního produktu | STB30 |
Model produktu
STB30N65M2AG
Úvod
STB30N65M2AG je specializovaný integrovaný obvod navržený pro aplikace s vysokou účinností.
Značka a výrobce
Značka: STMicroelectronics, Výrobce: ST
Vlastnosti
Vysoké napětí pro zničení, nízký odpor při sepnutí, rychlé přepínací schopnosti, vylepšený tepelný výkon, robustní oxidová vrstva
Výkon produktu
Efektivně pracuje s vysokou tepelnou stabilitou, vysoká schopnost přenášet proud, minimalizované ztráty při přepínání, zvýšená hustota výkonu
Technické specifikace
Napětí: 650 V, Rds(on): 0,073 Ohm
Rozměry, tvar a balení
Balení TO-263, standardní velikost pro přímou integraci
Kvalita a spolehlivost
Pečlivě testováno na trvanlivost a výkon, vysoce spolehlivé při proměnlivých pracovních podmínkách
Výhody produktu
Energeticky efektivní, snižuje ztráty energie, vhodné pro aplikace s vysokým napětím
Konkurenceschopnost produktu
Nadřazené v výkonu ve srovnání s konkurencí v podobných kategoriích, nabízí vyváženost ceny a schopností
Kompatibilita
Kompatibilní s různými elektronickými konfiguracemi vyžadujícími regulaci a správu napětí
Standardizační certifikace a soulad
Splňuje mezinárodní normy pro bezpečnost a provoz
Doba životnosti a udržitelnost
Dlouhá životnost s stabilním výkonem, ekologické materiály a komponenty
Skutečné oblasti aplikace
Napájecí zdroje, solární invertory, elektronické osvětlení, automatizace průmyslového vybavení
Napište nám: Info@Ariat-Tech.com nebo odešlete RFQ pro STB30N65M2AG online.
| STB30N65M2AG Sklad | STB30N65M2AG Cena | STB30N65M2AG Elektronika | |||
| STB30N65M2AG Součástky | STB30N65M2AG Skladové zásoby | STB30N65M2AG Digikey | |||
| Dodavatel STB30N65M2AG | Objednat STB30N65M2AG online | Poptávka STB30N65M2AG | |||
| STB30N65M2AG Obrázek | STB30N65M2AG Fotografie | STB30N65M2AG PDF | |||
| STB30N65M2AG Datový list | Stáhnout datový list STB30N65M2AG | Výrobce | |||
| Související díly pro STB30N65M2AG | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| obraz | Part Number | Popis | Výrobce | Získejte nabídku | |
 |
STB30NE06L | STB30NE06L ST | ST | ||
|
STB30NF10 B30NF10 | ST TO-263 | ST | ||
|
STB30N10T4 | STB30N10T4 ST | ST | ||
|
STB30NF10T4 MOS | ST TO-252 | ST | ||
|
STB3055L2 TO220 | VBsemi TO220 | VBsemi | ||
 |
STB30N80K5 | MOSFET N-CHANNEL 800V 24A D2PAK | STMicroelectronics | ||
|
STB30NE06LT4 | STB30NE06LT4 ST | ST | ||
|
STB30NF10T4 IC | ST TO-263 | ST | ||
|
STB30NF10 | STB30NF10 ST | ST | ||
 |
STB30NF10T4 | MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK | STMicroelectronics | ||
|
STB3020L | ST TO-263 | ST | ||
|
STB3020LT4 | STB3020LT4 BAYLINEAR | ST | ||
|
STB30N10S | STB30N10S ST | ST | ||
 |
STB3060CTR | DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V D2PAK | Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions | ||
|
STB30N10 | STB30N10 ST | ST | ||
|
STB3055L2 | VBsemi TO263 | VBsemi | ||
|
STB30NE06LT4 MOS | ST TO-263 | ST | ||
 |
STB3060C | DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V D2PAK | SMC Diode Solutions | ||
|
STB30N65DM6AG | AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 650 V | STMicroelectronics | ||
|
STB30N65M5 | MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK | STMicroelectronics | ||
Zprávy
Více
Dne 19. dubna 2026 (místního času) zprávy médií s odkazem na zdroje obeznámené s touto záležitostí odhalily, že Google, dceřiná společn...
Podle *The Business Times* začala pilotní výrobní linka CoPoS (Chip-on-Panel-on-Substrate) společnosti TSMC dodávat zařízení svému R&D týmu...
Dne 6. dubna místního času americký technologický gigant pro umělou inteligenci (AI) Anthropic oznámil, že podepsal novou dohodu se společnos...
1. dubna Microsoft oznámil, že investuje 5,5 miliardy dolarů v Singapuru do dalšího rozšiřování své infrastruktury cloudu a umělé intelige...
Samsung Electronics bude první, kdo bude svou novou generaci HBM4 exkluzivně dodávat OpenAI, největší světové společnosti zabývající se um...
Nové produkty
Více
Texas Instruments TPS92542-Q1 Synchronní Boost řadič obsahuje synchronní ovladač Boost a dvoukanálový monolitický synchronní synchronní buck...
Ovladač Toshiba TB67H453 s jedním kanálem H-Bridge má proudovou monitorovací funkci s zpětnou vazbou napětí z výstupního kolíku ISENSE.Abso...
STMICROELECTRONICS STSAFE-A120 Ověřování ICS jsou vysoce bezpečné integrované obvody určené k ochraně citlivých dat a zařízení prostřed...
STMICROELECTRONICS STSAFE-A Optimalizovaná autentizační ICS pákový výkon pokročilých kryptografických algoritmů a technik správy klíčů k...
Diody začleněné PI3DPX1235Q 6: 4 Lineární redriver příčka podporuje transparentní pro tréninkové trénink DP pro aplikace na straně zdroje...
E-mail: Info@ariat-tech.comHK TEL: +852 30501966ADRESA: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hong Kong.
Oznámení o autorských právech © 1996-2026 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED. Všechna práva vyhrazena.