| STH150N10F7-2 | |
|---|---|
| Part Number | STH150N10F7-2 |
| Výrobce | STMicroelectronics |
| Popis | MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-2 |
| Dostupné množství | 21288 pcs new original in stock. Žádost o akci a nabídku |
| Datasheety | 1.STH150N10F7-2.pdf2.STH150N10F7-2.pdf3.STH150N10F7-2.pdf4.STH150N10F7-2.pdf |
| STH150N10F7-2 Price |
Požadavek na cenu a dobu trvání online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Technické informace STH150N10F7-2 | |||
|---|---|---|---|
| Číslo součásti výrobce | STH150N10F7-2 | Kategorie | Diskrétní polovodičové produkty |
| Výrobce | STMicroelectronics | Popis | MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-2 |
| Balení / pouzdro | H2Pak-2 | Dostupné množství | 21288 pcs |
| Vgs (th) (max) 'Id | 4.5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Technika | MOSFET (Metal Oxide) | Dodavatel zařízení Package | H2Pak-2 |
| Série | DeepGATE™, STripFET™ VII | RDS On (Max) @ Id, Vgs | 3.9mOhm @ 55A, 10V |
| Stav produktu | Active | Ztráta energie (Max) | 250W (Tc) |
| Paket / krabice | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Balík | Tape & Reel (TR) |
| Provozní teplota | -55°C ~ 175°C (TJ) | Typ montáže | Surface Mount |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds | 8115 pF @ 50 V | Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs | 117 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel | FET Feature | - |
| Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.) | 10V | Drain na zdroj napětí (Vdss) | 100 V |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C | 110A (Tc) | Číslo základního produktu | STH150 |
| Stažení | STH150N10F7-2 PDF - EN.pdf | ||
Model produktu
STH150N10F7-2
Úvod
N-kanálový MOSFET navržený pro aplikace s vysokou účinností v oblasti správy energie
Značka a výrobce
STMicroelectronics
Vlastnosti
N-kanálový MOSFET
Vylepšená účinnost a tepelný výkon
Vhodný pro aplikace s vysokou hustotou výkonu
Výkon produktu
Vysoký kontinuální drenážní proud 110A
Nízký odpor v zapnutí 3,9 mΩ
Technické specifikace
Napětí mezi drenem a zdrojem: 100V
Kontinuální drenážní proud: 110A
Ztráty výkonu: 250W
Odpor v zapnutí: 3,9 mΩ
Náboj na bráně: 117nC
Vstupní kapacita: 8115pF
Napětí řízení: 10V
Maximální napětí brána-zdroj: ±20V
Rozměry, tvar a balení
Balení / Pouzdro: TO-263-3, DPak (2 vodiče + tab), TO-263AB
Balení: Páska a cívka (TR)
Kvalita a spolehlivost
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): 1 (neomezená)
Bezolovnaté a v souladu s RoHS pro ekologickou bezpečnost
Výhody produktu
Vysoká schopnost proudu a účinnost při přeměně energie
Konkurenceschopnost produktu
Konkurenceschopně umístěn v segmentech trhu s MOSFETy pro výkon
Kompatibilita
Kompatibilní se součástkami pro povrchovou montáž pro snadnější sestavení
Standardizační certifikace a soulad
Shoda s RoHS
Stav bez olova
Doba životnosti a udržitelnost
Navrženo pro dlouhodobou spolehlivost v různých provozních prostředích
Skutečné oblasti aplikace
Napájecí zdroje
Pohony motorů
Systémy správy baterií
Spínací regulátory
Napište nám: Info@Ariat-Tech.com nebo RFQ STH150N10F7-2 Online.
| STH150N10F7-2 Sklad | STH150N10F7-2 Cena | STH150N10F7-2 Electronics | |||
| Součásti STH150N10F7-2 | STH150N10F7-2 Inventory | STH150N10F7-2 Digikey | |||
| Dodavatel STH150N10F7-2 | Objednat STH150N10F7-2 Online | Poptávka STH150N10F7-2 | |||
| Obrázek STH150N10F7-2 | Obrázek STH150N10F7-2 | STH150N10F7-2 PDF | |||
| Datový list STH150N10F7-2 | Stáhněte si datový list STH150N10F7-2 | Výrobce | |||
| Související díly pro STH150N10F7-2 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| obraz | Part Number | Popis | Výrobce | Získejte nabídku | |
 |
STH140N8F7-2 | MOSFET N-CH 80V 90A H2PAK-2 | STMicroelectronics | ||
|
STH13NB60FI | STH13NB60FI ST | ST | ||
|
STH15NB50F | STH15NB50F ST | ST | ||
|
STH160N4LF6-2 MOS | ST TO-263 | ST | ||
|
STH15810-2 MOSFETIGBTIC | ST TO263 | ST | ||
|
STH160N4LF6-2 | MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2 | STMicroelectronics | ||
|
STH15810-2Z1 | SY TO263 | SY | ||
|
STH15810-2 15810 | ST TO-263 | ST | ||
|
STH15NB50FI | MOSFET N-CH 500V 10.5A ISOWAT218 | STMicroelectronics | ||
|
STH140N6F7 | ST | |||
|
STH15NA50FI | STH15NA50FI ST | ST | ||
|
STH15810-2 IC | ST TO-263 | ST | ||
|
STH140N6F7-2 | MOSFET N-CH 60V 80A H2PAK-2 | STMicroelectronics | ||
|
STH143002.1 | UTAC LQFP48 | UTAC | ||
|
STH145N8F7-2AG | MOSFET N-CH 80V 90A H2PAK-2 | STMicroelectronics | ||
|
STH13NB60F1 | STH13NB60F1 ST | ST | ||
 |
STH140N6F7-6 | MOSFET N-CH 60V 80A H2PAK-6 | STMicroelectronics | ||
|
STH143004.1 | STH QFP48 | STH | ||
|
STH14808-2 | STH14808-2 ST | ST | ||
|
STH15810-2 | STH15810-2 ST | ST | ||
Zprávy
Více
Dne 19. dubna 2026 (místního času) zprávy médií s odkazem na zdroje obeznámené s touto záležitostí odhalily, že Google, dceřiná společn...
Podle *The Business Times* začala pilotní výrobní linka CoPoS (Chip-on-Panel-on-Substrate) společnosti TSMC dodávat zařízení svému R&D týmu...
Dne 6. dubna místního času americký technologický gigant pro umělou inteligenci (AI) Anthropic oznámil, že podepsal novou dohodu se společnos...
1. dubna Microsoft oznámil, že investuje 5,5 miliardy dolarů v Singapuru do dalšího rozšiřování své infrastruktury cloudu a umělé intelige...
Samsung Electronics bude první, kdo bude svou novou generaci HBM4 exkluzivně dodávat OpenAI, největší světové společnosti zabývající se um...
Nové produkty
Více
Texas Instruments TPS92542-Q1 Synchronní Boost řadič obsahuje synchronní ovladač Boost a dvoukanálový monolitický synchronní synchronní buck...
Ovladač Toshiba TB67H453 s jedním kanálem H-Bridge má proudovou monitorovací funkci s zpětnou vazbou napětí z výstupního kolíku ISENSE.Abso...
STMICROELECTRONICS STSAFE-A120 Ověřování ICS jsou vysoce bezpečné integrované obvody určené k ochraně citlivých dat a zařízení prostřed...
STMICROELECTRONICS STSAFE-A Optimalizovaná autentizační ICS pákový výkon pokročilých kryptografických algoritmů a technik správy klíčů k...
Diody začleněné PI3DPX1235Q 6: 4 Lineární redriver příčka podporuje transparentní pro tréninkové trénink DP pro aplikace na straně zdroje...
E-mailem: Info@ariat-tech.comHK TEL: +852 30501966PŘIDAT: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hongkong.
Oznámení o autorských právech © 1996-2026 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Všechna práva vyhrazena.