| STWA88N65M5 | |
|---|---|
| Part Number | STWA88N65M5 |
| Výrobce | STMicroelectronics |
| Popis | MOSFET N-CH 650V 84A TO247 |
| Dostupné množství | 4104 pcs new original in stock. Žádost o akci a nabídku |
| Datasheety | STWA88N65M5.pdf |
| STWA88N65M5 Price |
Požadavek na cenu a dobu trvání online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Technické informace STWA88N65M5 | |||
|---|---|---|---|
| Číslo součásti výrobce | STWA88N65M5 | Kategorie | Diskrétní polovodičové produkty |
| Výrobce | STMicroelectronics | Popis | MOSFET N-CH 650V 84A TO247 |
| Balení / pouzdro | TO-247-3 | Dostupné množství | 4104 pcs |
| Vgs (th) (max) 'Id | 5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±25V |
| Technika | MOSFET (Metal Oxide) | Dodavatel zařízení Package | TO-247-3 |
| Série | MDmesh™ V | RDS On (Max) @ Id, Vgs | 29mOhm @ 42A, 10V |
| Stav produktu | Active | Ztráta energie (Max) | 450W (Tc) |
| Paket / krabice | TO-247-3 | Balík | Tube |
| Provozní teplota | 150°C (TJ) | Typ montáže | Through Hole |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds | 8825 pF @ 100 V | Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs | 204 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel | FET Feature | - |
| Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.) | 10V | Drain na zdroj napětí (Vdss) | 650 V |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C | 84A (Tc) | Číslo základního produktu | STWA88 |
| Stažení | STWA88N65M5 PDF - EN.pdf | ||
Model produktu
STWA88N65M5
Úvod
N-kanálový MOSFET s napětím 650V, 84A, 450W.
Značka a výrobce
STMicroelectronics
Vlastnosti
N-kanálový MOSFET, zvýšená výkonová hustota, vysoká schopnost dv/dt, nízký odpor v zapnutí.
Výkon produktu
Kontinuální proud dráhy 84A při 25°C, napětí drain-k-source 650V, maximální ztráta výkonu 450W.
Technické specifikace
Technologie MOSFET Metal Oxide, maximální RDS(on) 29 mOhm při 42A, 10V, maximální prahové napětí brány (Vgs(th)) 5V při 250μA, maximální náboj brány (Qg) 204nC při 10V, maximální vstupní kapacita (Ciss) 8825pF při 100V.
Rozměry, tvar a balení
Montáž s procházejícími otvory, balení TO-247-3, tubusová výroba.
Kvalita a spolehlivost
Bez olova, shoda s RoHS, úroveň citlivosti na vlhkost (MSL) 1.
Výhody produktu
Vysoká účinnost díky nízkým ztrátám výkonu, robustní tepelný výkon.
Konkurenceschopnost produktu
Optimalizováno pro aplikace s vysokým napětím.
Kompatibilita
Široký rozsah napětí řízení (Max Rds On, Min Rds On): 10V.
Standardizační certifikace a soulad
Shoda s RoHS.
Doba životnosti a udržitelnost
Navrženo pro dlouhodobou spolehlivost.
Skutečné oblasti aplikace
Jednotky napájení, řídicí systémy motorů, měniče, konverzní systémy.
Napište nám: Info@Ariat-Tech.com nebo odešlete RFQ pro STWA88N65M5 online.
| STWA88N65M5 Sklad | STWA88N65M5 Cena | STWA88N65M5 Elektronika | |||
| STWA88N65M5 Součástky | STWA88N65M5 Skladové zásoby | STWA88N65M5 Digikey | |||
| Dodavatel STWA88N65M5 | Objednat STWA88N65M5 online | Poptávka STWA88N65M5 | |||
| STWA88N65M5 Obrázek | STWA88N65M5 Fotografie | STWA88N65M5 PDF | |||
| STWA88N65M5 Datový list | Stáhnout datový list STWA88N65M5 | Výrobce | |||
| Související díly pro STWA88N65M5 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| obraz | Part Number | Popis | Výrobce | Získejte nabídku | |
 |
STWA72N60DM2AG | MOSFET N-CH 600V 66A TO247 | STMicroelectronics | ||
 |
STWBC | IC CONTROLLER BATT CHARG QFPN | STMicroelectronics | ||
|
STWA75N60DM6 | MOSFET N-CH 600V 72A TO247 | STMicroelectronics | ||
|
STWBC2-LP | DISCRETE | STMicroelectronics | ||
|
STWA72N60DM6AG | DISCRETE | STMicroelectronics | ||
|
STWA70N60DM2 | MOSFET N-CHANNEL 600V 66A TO247 | STMicroelectronics | ||
|
STWBC2 | IC BATTERY CHARGER CTRLR QFPN | STMicroelectronics | ||
|
STWA68N65DM6AG | DISCRETE | STMicroelectronics | ||
 |
STWBC2-HP | DISCRETE | STMicroelectronics | ||
|
STWBC-EPTR | IND.& POWER CONV. | STMicroelectronics | ||
|
STWBC-MC | IND.& POWER CONV. | STMicroelectronics | ||
|
STWA75N65DM6 | N-CHANNEL 650 V, 33 MOHM TYP., 7 | STMicroelectronics | ||
|
STWBC-WA | IC CONTROLLER BATT CHRG 32VFQFPN | STMicroelectronics | ||
|
STWA75N60M6 | MOSFET N-CH 600V 72A TO247 | STMicroelectronics | ||
|
STWBC-EP | VFQFPN 5X5X1.0 32L P | STMicroelectronics | ||
|
STWA68N65DM6 | DISCRETE | STMicroelectronics | ||
|
STWBC-MCTR | IC FLYBACK CTLR TRANSM VFQFPN | STMicroelectronics | ||
|
STWA70N65DM6 | MOSFET N-CH 650V 68A TO247 | STMicroelectronics | ||
|
STWA70N60DM6 | MOSFET N-CH 600V 62A TO247 | STMicroelectronics | ||
|
STWBC-WATR | IC CONTROLLER BATT CHRG 32VFQFPN | STMicroelectronics | ||
Zprávy
Více
Dne 19. dubna 2026 (místního času) zprávy médií s odkazem na zdroje obeznámené s touto záležitostí odhalily, že Google, dceřiná společn...
Podle *The Business Times* začala pilotní výrobní linka CoPoS (Chip-on-Panel-on-Substrate) společnosti TSMC dodávat zařízení svému R&D týmu...
Dne 6. dubna místního času americký technologický gigant pro umělou inteligenci (AI) Anthropic oznámil, že podepsal novou dohodu se společnos...
1. dubna Microsoft oznámil, že investuje 5,5 miliardy dolarů v Singapuru do dalšího rozšiřování své infrastruktury cloudu a umělé intelige...
Samsung Electronics bude první, kdo bude svou novou generaci HBM4 exkluzivně dodávat OpenAI, největší světové společnosti zabývající se um...
Nové produkty
Více
Texas Instruments TPS92542-Q1 Synchronní Boost řadič obsahuje synchronní ovladač Boost a dvoukanálový monolitický synchronní synchronní buck...
Ovladač Toshiba TB67H453 s jedním kanálem H-Bridge má proudovou monitorovací funkci s zpětnou vazbou napětí z výstupního kolíku ISENSE.Abso...
STMICROELECTRONICS STSAFE-A120 Ověřování ICS jsou vysoce bezpečné integrované obvody určené k ochraně citlivých dat a zařízení prostřed...
STMICROELECTRONICS STSAFE-A Optimalizovaná autentizační ICS pákový výkon pokročilých kryptografických algoritmů a technik správy klíčů k...
Diody začleněné PI3DPX1235Q 6: 4 Lineární redriver příčka podporuje transparentní pro tréninkové trénink DP pro aplikace na straně zdroje...
E-mail: Info@ariat-tech.comHK TEL: +852 30501966ADRESA: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hong Kong.
Oznámení o autorských právech © 1996-2026 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED. Všechna práva vyhrazena.