| SIS888DN-T1-GE3 | |
|---|---|
| Part Number | SIS888DN-T1-GE3 |
| Výrobce | Vishay / Siliconix |
| Popis | MOSFET N-CH 150V 20.2A 1212-8S |
| Dostupné množství | 22062 pcs new original in stock. Žádost o akci a nabídku |
| ECAD model | |
| Datasheety | SIS888DN-T1-GE3.pdf |
| SIS888DN-T1-GE3 Price |
Požadavek na cenu a dobu trvání online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Technické informace SIS888DN-T1-GE3 | |||
|---|---|---|---|
| Číslo součásti výrobce | SIS888DN-T1-GE3 | Kategorie | Diskrétní polovodičové produkty |
| Výrobce | Vishay / Siliconix | Popis | MOSFET N-CH 150V 20.2A 1212-8S |
| Balení / pouzdro | Tape & Reel (TR) | Dostupné množství | 22062 pcs |
| Vgs (th) (max) 'Id | 4.2V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Technika | MOSFET (Metal Oxide) | Dodavatel zařízení Package | PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3) |
| Série | ThunderFET® | RDS On (Max) @ Id, Vgs | 58 mOhm @ 10A, 10V |
| Ztráta energie (Max) | 52W (Tc) | Obal | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice | PowerPAK® 1212-8S | Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TA) |
| Typ montáže | Surface Mount | Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds | 420pF @ 75V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs | 14.5nC @ 10V | Typ FET | N-Channel |
| FET Feature | - | Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.) | 7.5V, 10V |
| Drain na zdroj napětí (Vdss) | 150V | Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C | 20.2A (Tc) |
| Stažení | SIS888DN-T1-GE3 PDF - EN.pdf | ||
Napište nám: Info@Ariat-Tech.com nebo RFQ SIS888DN-T1-GE3 Online.
| SIS888DN-T1-GE3 Sklad | SIS888DN-T1-GE3 Cena | SIS888DN-T1-GE3 Electronics | |||
| Součásti SIS888DN-T1-GE3 | SIS888DN-T1-GE3 Inventory | SIS888DN-T1-GE3 Digikey | |||
| Dodavatel SIS888DN-T1-GE3 | Objednat SIS888DN-T1-GE3 Online | Poptávka SIS888DN-T1-GE3 | |||
| Obrázek SIS888DN-T1-GE3 | Obrázek SIS888DN-T1-GE3 | SIS888DN-T1-GE3 PDF | |||
| Datový list SIS888DN-T1-GE3 | Stáhněte si datový list SIS888DN-T1-GE3 | Výrobce Vishay / Siliconix | |||
| Související díly pro SIS888DN-T1-GE3 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| obraz | Part Number | Popis | Výrobce | Získejte nabídku | |
 |
SIS85-3R3(3.3UH 5.5A) | DELTA SMD | DELTA | ||
 |
SIS902DN-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212-8 | Vishay Siliconix | ||
|
SIS902DN-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
 |
SIS890DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8 | Vishay Siliconix | ||
|
SIS892DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8 PPAK | Vishay Siliconix | ||
 |
SIS862ADN-T1-GE3 | VISHAY PowerPAK1212-8 | VISHAY | ||
|
SIS862DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 60V 40A 1212 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
 |
SIS85C497NU | SIS QFP | SIS | ||
|
SIS890DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SIS862DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 60V 40A 1212 | Vishay Siliconix | ||
|
SIS85C407 | SIS QFP | SIS | ||
|
SIS892DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8 PPAK | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SIS890DN-T1-GE3 MOS | VISHAY PowerPAK1212-8 | VISHAY | ||
|
SIS85-3R3 3.3UH 5.5A | DELTA SMD | DELTA | ||
|
SIS892ADN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 100V 28A PPAK 1212 | Vishay Siliconix | ||
|
SIS85C206 | SIS QFP | SIS | ||
|
SIS892ADN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 100V 28A PPAK 1212 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SIS85C496 | SIS 03 | SIS | ||
|
SIS888DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 150V 20.2A 1212-8S | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SIS903DN-T1-GE3 | MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
Zprávy
Více
Jak technologie postupuje a přichází informační věk, optické sítě, efektivní a spolehlivá metoda přenosu dat, postupně transformují naš...
Home Home uvedl 16. dubna, že podle zprávy „Global Semiconductor Equipment Market“, které nedávno vydala polovodičová organizace Semi, v roce ...
Švédská unie, pokud Metall 10. dubna oznámila, že stávka Tesla Mechanics je jedním z nejdelších pracovních sporů v zemi a nadále narušuje...
V poslední době oznámili hlavní výrobci skladování, jako jsou Micron, Samsung a Western Digital, zvýšení cen.Zasvěcenci průmyslu naznačuj...
Ve vzduchu je normální objemová frakce obsahu kyslíku asi 20,9%, ale když obsah kyslíku klesne pod tuto hodnotu, může to vést k hypoxii. Obec...
Nové produkty
Více
Fotoelektrický snímač řady PD30 Miniaturní fotoelektrické snímače Carlo Gavazzi jsou vysoce ...
Sada hodnocení XC112 / XR112 pro pulsní koherentní radar A111 Acconeer XC112 a XR112 vyhodnocovac...
MINAS Servo pohony řady A6 a motory Rodina řady MINAS A6 společnosti Panasonic zajišťuje stabil...
Deska řidiče UV LED RayVio je LED LED deska řady XE a XP1 řady UV-C emitorů Ultrafialová (UV...
Průmyslový a rozšířený test DDR SDRAM Zařízení DDR SDRAM společnosti Insignis zaručují p...
E-mailem: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966PŘIDAT: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hongkong.
Oznámení o autorských právech © 1996-2024 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Všechna práva vyhrazena.